业内称三星3nm GAA存在漏电等关键技术问题
图源：路透
，据业内人士透露，三星电子的3nm GAA工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题，消息人士称，该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的3nm FinFET工艺。
据《电子时报》报道，上述人士表示，三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产，但由于成本高和性能不理想，可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户，后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。
台积电有望在2022年下半年将其3nm FinFET工艺推向量产，CEO魏哲家在最近的财报会议上表示，“N3将是我们N5的另一个全面扩展，并将采用FinFET晶体管结构，为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”
在失去苹果iPhone处理器订单后，三星在尖端芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士称，从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得3nm竞争的关键。（校对/乐川）
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- 编辑：郭晓刚
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