氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用
随着中国芯GaN产品上市,引起了大家的关注,PD产品更是多姿多彩;纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别?本文我们就做一些比对;帮助大家清晰的了解GaN产品。
1.从氮化镓GaN产品的名称上对比
如下图所示,产品GaN标示图。纳微: GaNFastTM Power ICs是GaN功率IC,而英诺赛科: E-ModeGaN FET是GaN功率管;
2.从氮化镓GaN产品结构上对比
如下图所示,纳微GaN产品结构,包含HV GaNFET,和Integrated Circuit;电容电阻和LV GaNFET组成内部电路;而英诺赛科GaN产品对应与纳微GaN器件中的HV GaNFET部分;
纳微GaN组成部分/英诺赛科GaN产品
3.其氮化镓GaN产品特点
纳微GaN产品为单片集成GaN功率IC; GaNFET IC集成了: GaN FET (650V; Rds: 110-560 m2) +GaN驱动器+ GaN逻辑电路,如下图;
英诺赛科的GaN产品特点:单片耐压650VGaN功率管,-个三端功率器件;
纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品都属于E-Mode方式;
纳微GaN产品型号: NV6113、 NV6115、NV6117、 NV6125、NV6127、 NV6252
英诺赛科GaN产品型号: INN650D01、 INN650D02
4.氮化镓GaN产品参数对比
如下表所示,英诺赛科GaN产 品型号INN650D02对标纳微GaN产品型号NV6125;其内阻和Qoss, Coss电容值都比较接近;封装上略大一些;
5.氮化镓GaN产品应用电路
5.1从上内容可以看,由于英诺赛科GaN产品是: E-Mode GaNFET,查看其规格书参数;
英诺赛科的GaN产品的Vgs开通阈值电压为1.7V,建议的驱动电压为5.5V-6.5V,通常选取的电压为6V。
通常使用控制IC,需要将控制输出电压转换为6V,英诺赛科GaN产品需要外部驱动转换电路;
有两种方式转换:
(5.1.1)使用 电阻电容分压电路
英诺赛科推广的Demo板即采用此电路,如下图所示;
以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路; NCP1342 DRV高电平输出(12V) R3、 R4、C1构成的分压电路,Cgs电容较小,很快被充电至Vgsth值,C1 电容值推荐680pF至1nF之间。
(5.1.2)使用驱动IC
洛克65W产品采用了此电路应用,如下图PCB截图部分所示;
以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路;驱动IC FAN3111E;需要VCC1通过稳压电路到VCC2给FAN3111E供电;当VCC2值设置为6V时,输出电压也为6V,输出信号IN+电压值不能超过VCC2值,需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真。
5.2纳微GaN应用电路图,由于内置驱动电路,所以外围简洁
实际应用电路图PCB部分截图所示;
以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路;纳微产品内部集成了驱动电路,将NCP1342输出PWM信号转换成内部驱动GaN FET的驱动信号。外围器件数量少,设计简单;
6.氮化镓GaN产品应用电路BOM列表对比
从下表中可以看到各产品外围应用电路元器件个数;
7.氮化镓GaN产品应用电路的优劣势
8.氮化镓GaN产品应用中设计
设计氮化镓GaN产品,应用电路中如下图所示,HV Power FET工作在高频中,Driver电路信 号回路近可能的短,避免Lg / Ls寄生参数的影响;减少开关信号中的振铃波形;
纳微GaN产品集成驱动和逻辑电路,确保GaN产 品的可靠性;各个管脚ESD 1K;有效消除Gate噪音干扰;
外置驱动电路+GaN FET在layout布局上要求高,来减少环路干扰;
9.氮化镓GaN产品驱动电路外置和内置的区别
作者:马坤
- 标签:法外风云
- 编辑:郭晓刚
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